[实用新型]晶圆良率优化系统有效
| 申请号： | 201822053042.8 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN209199875U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 大藤彻;张青洲;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆良率优化系统包括晶圆沉积器、侦测器、工艺选择器、切割器、及载盘。晶圆沉积器是用以在晶圆上沉积膜；侦测器是安装在晶圆沉积器中，用以侦测覆有膜的晶圆质量，以发出晶圆质量信号；工艺选择器是用以接收从侦测器发出的晶圆质量信号，根据晶圆质量信号产生切割距离信号；切割器是用以根据切割距离信号，切割晶圆的边缘区域；载盘是用以承载晶圆，且载盘的尺寸小于所述晶圆的尺寸，使得边缘区域经切割器切割后不会留在载盘上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 载盘 切割 质量信号 沉积器 切割器 侦测器 边缘区域 工艺选择 距离信号 优化系统 良率 本实用新型 沉积膜 侦测 种晶 承载 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆良率优化系统，其特征在于，包括：晶圆沉积器，用以在晶圆上沉积膜；侦测器，安装在所述晶圆沉积器中，用以侦测覆有膜的晶圆的质量，以发出晶圆质量信号；工艺选择器，用以接收从所述侦测器发出的所述晶圆质量信号，根据所述晶圆质量信号产生切割距离信号；切割器，用以根据所述切割距离信号，切割所述晶圆的边缘区域；以及载盘，用以承载所述晶圆，且所述载盘的尺寸小于所述晶圆的尺寸，使得所述边缘区域经所述切割器切割后不会留在所述载盘上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
