[实用新型]石墨舟及具有该石墨舟的管式PECVD设备有效
申请号: | 201822057002.0 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN209636315U | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 陈曦;张达奇;熊光涌 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513;H01L21/673 |
代理公司: | 32235 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 孙凤<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 215000江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型提供一种石墨舟及管式PECVD设备,涉及太阳能电池镀膜领域,石墨舟包括沿上下方向间隔设置的多个水平放置的石墨舟片,每一石墨舟片上设有至少一个用以固定硅片的镂空部;在将硅片固定于镂空部后,一方面,位于石墨舟内的每一硅片的正面以及背面均无遮挡,在镀膜时,等离子体可分别沉积在硅片的正面以及背面,实现硅片的正面及背面同时镀膜,降低了镀膜时间,能够提高产能;同时,相较于现有的石墨舟,本实用新型中的石墨舟对硅片镀膜时,不需要进行翻片处理,可以有效减少多次插硅片对硅片的边缘造成的擦伤;另一方面,硅片呈水平放置,在进行等离子体沉积的时候,减少因重力因素导致硅片上下两端沉积的膜厚不同造成的镀膜色差。 | ||
搜索关键词: | 硅片 石墨舟 镀膜 背面 本实用新型 石墨舟片 镂空部 沉积 等离子体 等离子体沉积 上下方向间隔 色差 太阳能电池 固定硅片 硅片镀膜 上下两端 有效减少 重力因素 无遮挡 擦伤 产能 翻片 管式 膜厚 | ||
【主权项】:
1.一种石墨舟,用于双面镀膜,其特征在于:所述石墨舟包括沿上下方向间隔设置的多个水平放置的石墨舟片,每一所述石墨舟片上设有至少一个用以固定硅片的镂空部;每一所述镂空部的内周缘设有用于固定硅片的固定台,所述固定台为自所述镂空部的上周缘向下且向所述镂空部的中心倾斜延伸形成,所述固定台的倾斜角度为15°-75°。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的