[实用新型]组合传感器有效
| 申请号： | 201822060581.4 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN209017319U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王德信;杨军伟;潘新超;端木鲁玉;邱文瑞 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种组合传感器，组合传感器包括：基板，基板具有上表面和下表面；第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，第一MEMS芯片和第一ASIC芯片安装至基板的上表面，第一MEMS芯片和第一ASIC芯片电连接，第一MEMS芯片为电容式结构；以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片安装至基板的上表面，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片电连接，第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；第一MEMS芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，第一ASIC芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。本实用新型技术方案减弱寄生电容效应，从而减小了电磁感应，使得组合传感器工作时，第一MEMS芯片的本底噪声大幅度下降，提升了组合传感器的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 组合传感器 基板 上表面 本实用新型 最短距离 电连接 寄生电容效应 电容式结构 本底噪声 电磁感应 工作电压 交流电压 下表面 减小 | ||
【主权项】：
1.一种组合传感器，其特征在于，所述组合传感器包括：基板，所述基板具有上表面和下表面；第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片电连接，所述第一MEMS芯片为电容式结构；以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片电连接，所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。
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