[实用新型]一种具有双腔体结构的原子层沉积装置有效
申请号: | 201822071576.3 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN209162188U | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 左雪芹;陆雪强;潘晓霞 | 申请(专利权)人: | 江苏迈纳德微纳技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人: | 张天翔 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有双腔体结构的原子层沉积装置,包括主机柜,所述主机柜的一侧连接有控制柜,主机柜的上端连接有真空反应腔,主机柜的内部安装有前驱体源输送系统和真空系统,所述真空反应腔包括反应腔外壁和样品进口,反应腔外壁与样品进口相连,反应腔外壁的一侧安装有可视窗口,反应腔外壁的内部连接有真空腔。本具有双腔体结构的原子层沉积装置,加热器置于反应腔与真空腔之间,保证反应腔整体温场的均匀性又避免前驱体源沉积对于加热器工作效率造成影响;反应腔与真空腔之间有氮气保护氛围,且真空腔的压力控制大于反应腔,避免反应腔的前驱体泄漏至真空腔外,同时保证反应腔内洁净的反应环境。 | ||
搜索关键词: | 反应腔 真空腔 主机柜 外壁 原子层沉积装置 双腔体结构 加热器 真空反应腔 前驱体源 样品进口 本实用新型 氮气保护 反应环境 工作效率 可视窗口 内部安装 内部连接 输送系统 压力控制 真空系统 均匀性 控制柜 前驱体 上端 沉积 温场 泄漏 洁净 保证 | ||
【主权项】:
1.一种具有双腔体结构的原子层沉积装置,包括主机柜(1),其特征在于:所述主机柜(1)的一侧连接有控制柜(2),主机柜(1)的上端连接有真空反应腔(3),主机柜(1)的内部安装有前驱体源输送系统(11)和真空系统(12),所述真空反应腔(3)包括反应腔外壁(31)和样品进口(32),反应腔外壁(31)与样品进口(32)相连,反应腔外壁(31)的一侧安装有可视窗口(311),反应腔外壁(31)的内部连接有真空腔(312),真空腔(312)内安装有加热器(313),加热器(313)内安装有反应腔(314),反应腔(314)的上端连接有前驱体源入口管道(315),反应腔(314)的下端连接有出气口(316),反应腔外壁(31)的上端连接有等离子反应腔(34),反应腔外壁(31)下端的一侧连接有真空腔压力监测接口(38),真空腔压力监测接口(38)的一侧连接有备用接口(33),反应腔外壁(31)下端的中间位置连接有前驱体源入口(35),前驱体源入口(35)的上端与前驱体源入口管道(315)相连,前驱体源入口(35)一侧的反应腔外壁(31)上连接有真空系统接口(36),真空系统接口(36)的上端与出气口(316)相连,真空系统接口(36)的一侧连接有反应腔压力监测接口(37),反应腔外壁(31)下端的另一侧连接有惰性气体入口(39)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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