[实用新型]栅极集成电阻结构和功率器件有效
申请号: | 201822086251.2 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN209282198U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 俞义长;戚丽娜;赵善麒 | 申请(专利权)人: | 江苏宏微科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 黄杭飞 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种栅极集成电阻结构和功率器件,其中,在衬底上开设的元胞区的多个横向沟槽均延长至电阻区,以在电阻区形成多个沟槽延长段,并在每个横向沟槽内沉积多晶硅,栅极集成电阻结构包括:在每个沟槽延长段内沉积的多晶硅段;从每个多晶硅段的第一端和第二端分别引出的接触孔;通过从每个多晶硅段的第一端引出的接触孔与该多晶硅段相连接的第一金属层;通过从每个多晶硅段的第二端引出的接触孔与该多晶硅段相连接的第二金属层。本实用新型制造工艺简单,成本较低,并且解决了此前不能制备沟槽型平坦化器件的栅极集成电阻的问题。 | ||
搜索关键词: | 多晶硅 集成电阻 接触孔 本实用新型 功率器件 横向沟槽 第一端 电阻区 延长段 段相 沉积 第二金属层 第一金属层 制造工艺 沟槽型 平坦化 元胞区 衬底 制备 | ||
【主权项】:
1.一种栅极集成电阻结构,其特征在于,在衬底上开设的元胞区的多个横向沟槽均延长至电阻区,以在所述电阻区形成多个沟槽延长段,并在每个所述横向沟槽内沉积多晶硅,所述栅极集成电阻结构包括:在每个所述沟槽延长段内沉积的多晶硅段;从每个所述多晶硅段的第一端和第二端分别引出的接触孔;通过从每个所述多晶硅段的第一端引出的接触孔与该多晶硅段相连接的第一金属层;通过从每个所述多晶硅段的第二端引出的接触孔与该多晶硅段相连接的第二金属层。
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