[实用新型]一种平铺式扩散装置有效
申请号: | 201822096178.7 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN208985965U | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 何振杰 | 申请(专利权)人: | 杭州海莱德智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型的一种平铺式扩散装置,包括扩散腔体,扩散腔体内设置有用以传送硅片的传送装置和用于对传送装置上的硅片进行高温加热的第一加热装置,第一加热装置设置在传送装置的上方;传送装置由多组滚轮构成,滚轮通过转动以传送硅片在扩散腔体内运动。本实用新型平铺式扩散装置通过平铺式的多点支撑传动方式,在相同的条件下,可延长硅片表面加热时间和温度,推进掺杂结深,从而提高硅片表面的掺杂质量,提高电池的光电转换效率,适应大尺寸硅片和超薄硅片,降低自动化传输技术难度,满足行业产业化需求。 | ||
搜索关键词: | 传送装置 平铺式 扩散装置 硅片 本实用新型 硅片表面 加热装置 扩散腔 掺杂 传送 光电转换效率 大尺寸硅片 自动化传输 超薄硅片 传动方式 多点支撑 多组滚轮 高温加热 技术难度 扩散腔体 体内运动 产业化 滚轮 结深 加热 转动 电池 体内 | ||
【主权项】:
1.一种平铺式扩散装置,其特征在于,包括扩散腔体,所述扩散腔体内设置有用以传送硅片的传送装置和用于对所述传送装置上的硅片进行高温加热的第一加热装置,所述第一加热装置设置在所述传送装置的上方;所述传送装置由多组滚轮构成,滚轮通过转动以传送硅片在所述扩散腔体内运动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造