[实用新型]一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构有效

专利信息
申请号: 201822099531.7 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN209982807U 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 黄刚;吴均 申请(专利权)人: 深圳市一博科技股份有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02
代理公司: 44276 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 张朝阳;袁浩华
地址: 518000 广东省深圳市南山区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构,包括主干走线、分支走线以及端接走线,主干走线分别与分支走线以及端接走线连接,主干走线包括主干阻抗,分支走线包括分支阻抗,端接走线包括端接阻抗以及端接电阻R,主干阻抗的阻值与分支阻抗的阻值以及端接电阻R的阻值均相等,且端接阻抗的阻值大于主干阻抗的阻值。本实用新型通过提高端接阻抗,能够明显优化T拓扑的信号质量,使得端接走线的线宽变窄,有利于减少DDR模块的串扰和布线空间,本实用新型结构简单,成本低。
搜索关键词: 走线 阻抗 主干 本实用新型 端接电阻 分支阻抗 拓扑 布线空间 模块信号 走线连接 变窄 串扰 线宽 相等 优化
【主权项】:
1.一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构,包括主干走线、分支走线以及端接走线,所述主干走线分别与所述分支走线以及所述端接走线连接,其特征在于,所述主干走线包括主干阻抗,所述分支走线包括分支阻抗,所述端接走线包括端接阻抗以及端接电阻R,所述主干阻抗的阻值与所述分支阻抗的阻值以及所述端接电阻R的阻值均相等,且所述端接阻抗的阻值大于所述主干阻抗的阻值。/n
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