[实用新型]一种高成品率晶体生长坩埚及装置有效
| 申请号： | 201822103824.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN209508451U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 孙聂枫;王书杰;孙同年;刘惠生;邵会民;史艳磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥;郝晓红 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高成品率晶体生长坩埚及装置，涉及化合物半导体单晶生长技术领域，采用的技术方案是：一种高成品率晶体生长坩埚，包括主坩埚，所述主坩埚结构由下往上依次包括籽晶部、生长部，主坩埚上沿周向呈设置有辅助坩埚。有益效果是：（1）本实用新型提供的高成品率晶体生长坩埚及装置，结构简单，易于操作和控制，提高了晶体生长的成品率，提高了材料的利用率；（2）通过角度的改变，适用于InP等各种晶体的生长过程，减少了晶体加工难度，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 成品率 晶体生长坩埚 本实用新型 坩埚 化合物半导体单晶 辅助坩埚 晶体加工 晶体生长 生长过程 坩埚结构 生长 晶体的 籽晶 | ||
【主权项】：
1.一种高成品率晶体生长坩埚，包括主坩埚（6），其特征在于，所述主坩埚（6）结构由下往上依次包括籽晶部（6‑1）、生长部（6‑2），主坩埚（6）上沿周向呈设置有辅助坩埚；所述辅助坩埚与主坩埚（6）中晶体生长过程中出现孪晶的晶面平行；所述辅助坩埚与主坩埚（6）中心线的夹角为θ，cosθ=∣(h1h2+k1k2+l1l2)∣/[(h12+l12+k12) (h22+l22+k22)] 0.5，其中，h1 k1 l1 h2 k2 l2为晶面指数，与晶体生长方向垂直的晶面为(h1 k1 l1)；出现孪晶后，与晶锭沿晶体生长方向垂直的晶面转变为(h2 k2 l2)；所述主坩埚（6）由下往上依次包括籽晶部（6‑1）、生长部（6‑2）、缩颈部（6‑3）及投料生长部（6‑4），所述辅助坩埚设置在主坩埚（6）的缩颈部（6‑3）。
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