[实用新型]一种压电MEMS超声波传感器有效
| 申请号： | 201822122152.5 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN209383383U | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 黄宏林;王俊 | 申请（专利权）人： | 智驰华芯（无锡）传感科技有限公司;无锡智行华芯高科技投资合伙企业(有限合伙) |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01S7/521 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种压电MEMS超声波传感器，涉及传感器技术领域，该压电MEMS超声波传感器包括由第一硅片、二氧化硅薄膜和硅振动膜从底至顶依次层叠形成的硅基结构，硅基结构上表面的二氧化硅薄膜上制备形成有下电极，下电极上制备形成有PZT压电薄膜和二氧化硅钝化层，二氧化硅钝化层露出下电极形成有下电极PAD，PZT压电薄膜上制备形成有上电极，上电极引出至上电极PAD，本申请公开的结构区别于传统的超声波传感器基于压电陶瓷的方案，其基于微米厚度的压电薄膜，且基于弯曲振动模式，所制造的超声波传感器的尺寸可以小到毫米量级，因此具有尺寸小、一致性高以及可以批量制造的优点，而且能够很容易实现阵列，扩展了超声波传感器的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波传感器 下电极 电极 压电 制备 二氧化硅钝化层 二氧化硅薄膜 硅基 传感器技术领域 弯曲振动模式 本实用新型 毫米量级 结构区别 批量制造 压电薄膜 压电陶瓷 依次层叠 传统的 上表面 振动膜 硅片 申请 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种压电MEMS超声波传感器，其特征在于，所述压电MEMS超声波传感器包括：由第一硅片、二氧化硅薄膜和硅振动膜从底至顶依次层叠形成的硅基结构；以及，分别形成在所述硅基结构的上表面和下表面的二氧化硅薄膜；以及，形成在所述硅基结构的上表面的二氧化硅薄膜上表面的下电极；以及，形成在所述下电极上表面的PZT压电薄膜和二氧化硅钝化层，所述PZT压电薄膜形成为预定结构，所述二氧化硅钝化层形成在所述PZT压电薄膜以外的区域，所述二氧化硅钝化层露出所述下电极形成有下电极PAD；以及，形成在所述PZT压电薄膜上表面的上电极，所述上电极形成与所述PZT压电薄膜的结构相匹配的所述预定结构，所述上电极通过电极引线引出至上电极PAD。
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