[实用新型]一种紫外LED芯片有效
| 申请号： | 201822123405.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN209447836U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王孟源;曾伟强;董挺波 | 申请（专利权）人： | 佛山市中昊光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区桂城街道深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种紫外LED芯片，包括依次设置的P型氮化镓层、量子井层、N型氮化镓层、透明衬底层以及透明过渡层；所述透明过渡层的数量为至少两层，所有透明过渡层的折射率均在1‑1.76之间，且所述透明过渡层的折射率往远离所述透明衬底层的折射率逐渐减小；其中，所述透明过渡层为二氧化硅、氟化钡、氟化钙、氟化镁或氟化锂中的一种。本实用新型提供的紫外LED芯片，通过所述透明过渡层的设置，减小了所述透明衬底层与空气之间的折射率阶梯，使得折射率缓慢过渡，减小全反射，提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 透明过渡层 折射率 紫外LED芯片 透明衬底层 本实用新型 减小 折射率阶梯 出光效率 二氧化硅 量子井层 依次设置 逐渐减小 氟化钡 氟化钙 氟化镁 氟化锂 全反射 两层 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED芯片，其特征在于，包括依次设置的P型氮化镓层、量子井层、N型氮化镓层、透明衬底层以及透明过渡层；所述透明过渡层的数量为至少两层，所有透明过渡层的折射率均在1‑1.76之间，且所述透明过渡层的折射率往远离所述透明衬底层方向的折射率逐渐减小；其中，所述透明过渡层为二氧化硅、氟化钡、氟化钙、氟化镁或氟化锂中的一种。
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