[实用新型]一种基于硒化铟晶体管的氧化锌压电传感器

摘要

本实用新型涉及一种基于硒化铟晶体管的氧化锌压电传感器，属于压电传感器领域，包括P型硅片、二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜、两个金属电极、InSe纳米薄膜和氧化锌薄膜，P型硅片的一侧上表面依次设置二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜和InSe纳米薄膜，InSe纳米薄膜上设置有PMMA层，两个金属电极固定于InSe纳米薄膜上，P型硅片的另一侧上表面设有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜上下表面均设有一层Au，Au与金属电极之间相连。本实用新型选择具有高灵敏、高迁移率的二维硒化铟材料和具有优异压电特性的氧化锌薄膜来提供信号，使用晶体管的本征放大作用，放大由氧化锌提供的压力信号，大大提高压力传感器的检测精度以及灵敏度。

主权项

1.一种基于硒化铟晶体管的氧化锌压电传感器，其特征在于，包括P型硅片、二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜、两个金属电极、InSe纳米薄膜和氧化锌薄膜，所述P型硅片的一侧上表面依次设置所述二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜和InSe纳米薄膜，所述InSe纳米薄膜上还设置有PMMA层，两个金属电极固定于InSe纳米薄膜上，所述P型硅片的另一侧上表面设置有所述氧化锌薄膜，所述氧化锌薄膜上下表面均设有一层Au，所述Au与金属电极之间相连。