[实用新型]一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置有效
申请号: | 201822133785.6 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN209926855U | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 陈书生;刘瑞生;田茂标;杨海蓉;游炯;周伟;曾洁;邓小燕;胡杰;龚俊红 | 申请(专利权)人: | 成都万士达瓷业有限公司 |
主分类号: | F27B17/00 | 分类号: | F27B17/00;H01L35/34 |
代理公司: | 51211 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 苏丹;郑发志 |
地址: | 611332 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置,其特征在于包括:高温氮气炉管、炉管支撑件、保温层,所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件,所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管,所述炉管支撑件与高温氮气炉管相接触,所述炉管支撑件设置在保温层上。 | ||
搜索关键词: | 高温氮气炉 炉管 支撑件 保温层 半导体基板 本实用新型 烧结 变形的 氮气炉 | ||
【主权项】:
1.一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置,其特征在于包括:高温氮气炉管(1)、炉管支撑件(2)、保温层(3),所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件(2),所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管(1),所述炉管支撑件(2)与高温氮气炉管(1)相接触,所述炉管支撑件(2)设置在保温层(3)上。/n
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