[实用新型]一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉

摘要

本实用新型公开了一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于包括：前进气管、后进气管、前进气管安装装置、前进气管出气口、后进气管安装装置、后进气管出气口、进气结构安装层、高温氮气炉管、炉管支撑件和保温层，高温氮气炉管、炉管支撑件、保温层，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管，所述炉管支撑件与高温氮气炉管相接触，所述炉管支撑件设置在保温层上，所述进气结构安装层上设置有多个前进气管安装装置和后进气管安装装置。

主权项

1.一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于包括：前进气管（1）、后进气管（2）、前进气管安装装置（3）、前进气管出气口（4）、后进气管安装装置（5）、后进气管出气口（6）、进气结构安装层（7）、高温氮气炉管（8）、炉管支撑件（9）和保温层（10），高温氮气炉管（8）、炉管支撑件（9）、保温层（10），所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件（9），所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管（8），所述炉管支撑件（9）与高温氮气炉管（8）相接触，所述炉管支撑件（9）设置在保温层（10）上，所述进气结构安装层（7）上设置有多个前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5），所述前进气管（1）通过前进气管安装装置（3）设置在进气结构安装层（7）上，所述后进气管（2）通过后进气安装装置5设置在进气结构安装层（7）上，所述前进气管（1）上设置有多个前进气管出气口（4），所述后进气管（2）设置有多个后进气管出气口（6）。