[实用新型]高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备

摘要

本实用新型涉及一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，涉及半导体集成电路制造技术，包括射频调频器和腔体，所述射频调频器位于所述腔体之上，所述腔体包括一顶盖，所述射频调频器包括容置空间和盖板，所述盖板组装于所述容置空间上，一电容设置于所述容置空间内，在所述盖板上设置一进风风扇和一出风风扇，其中所述进风风扇靠近所述电容设置，所述出风风扇远离所述电容设置，以使冷风通过所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容后从所述出风风扇流出，以预防电容爆浆，进而提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

主权项

1.一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，其特征在于，包括射频调频器和腔体，所述射频调频器位于所述腔体之上，所述腔体包括一顶盖，所述射频调频器包括容置空间和盖板，所述盖板组装于所述容置空间上，一电容设置于所述容置空间内，在所述盖板上设置一进风风扇和一出风风扇，其中所述进风风扇靠近所述电容设置，所述出风风扇远离所述电容设置，以使冷风通过所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容后从所述出风风扇流出。