[实用新型]一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置有效
| 申请号： | 201822137080.1 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209468524U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 黄翀;彭国令 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00;C23C16/27;C01B32/26 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发区文轩路2*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，包括基板台与以及设在基板台顶部的衬底，衬底的顶部设有能够安置金刚石籽晶的镀层，镀层由多晶金刚石制成。由于衬底表面沉积多晶金刚石膜，阻挡了金刚石籽晶与异质衬底的接触，有效的隔离了衬底杂质原子，提高单晶金刚石的合成质量；由于衬底表面设置多晶金刚石材质的镀层，增加了衬底表面的粗糙度，因此对于金刚石籽晶的位置固定，具有显著的作用，可以最大化的利用有限空间，尽可能的合成多颗单晶金刚石，降低成本；由于多晶金刚石材质的镀层的热导率很高，增加了金刚石籽晶之间的温度均匀性，更利于单晶金刚石长时间的稳定生长。本实用新型应用于金刚石合成设备领域。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 金刚石籽晶 衬底 镀层 单晶金刚石 衬底表面 合成 多晶 本实用新型 基板台 金刚石合成设备 多晶金刚石膜 温度均匀性 杂质原子 粗糙度 热导率 最大化 沉积 异质 隔离 阻挡 生长 安置 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，其特征在于，包括基板台与以及设在基板台顶部的衬底，所述衬底的顶部设有能够安置金刚石籽晶的镀层，所述镀层由多晶金刚石制成。
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