[实用新型]用于晶体硅片的清洗设备有效
| 申请号： | 201822139028.X | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209119056U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈海燕 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨金 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于晶体硅片的清洗设备，包括依次排列的水膜槽、酸洗槽、碱洗槽、转换槽及清洗槽，所述酸洗槽内设有包含HF的酸溶液，以实现晶体硅片背表面的清洗；所述碱洗槽用以实现晶体硅片背表面的制绒或抛光；所述清洗槽内设有HCl溶液，以对晶体硅片进行表面清洗。本实用新型清洗设备适于新型晶体硅电池的清洗制程，可通过转换槽的调整满足晶体硅片量产工序中的不同需求。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅片 清洗设备 本实用新型 背表面 碱洗槽 清洗槽 酸洗槽 转换槽 清洗 表面清洗 新型晶体 依次排列 抛光 硅电池 水膜槽 酸溶液 量产 制程 制绒 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶体硅片的清洗设备，其特征在于：所述清洗设备包括依次排列的水膜槽、酸洗槽、碱洗槽、转换槽及清洗槽，所述酸洗槽内设有包含HF的酸溶液，以实现晶体硅片背表面的清洗；所述碱洗槽用以实现晶体硅片背表面的制绒或抛光；所述清洗槽内设有HCl溶液，以对晶体硅片进行表面清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
