[实用新型]薄膜沉积均匀进气装置有效
| 申请号： | 201822144002.4 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209702845U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 周云;睢智峰;张德培 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种薄膜沉积均匀进气装置，放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方。本实用新型设计的进气装置包括气环和进气座。所述的气环由两个半圆环组成，所述的进气座有两个；气环与进气座相连，两两相固定，构成圆环状。通过增加进气装置，使反应气体均匀进入反应腔，从而在晶圆表面均匀反应和沉积，改善晶圆表面沉积薄膜的厚度和方阻的均匀性。本装置结构简单、易于安装。 | ||
| 搜索关键词： | 进气装置 进气座 气环 晶圆表面 靶材 本实用新型 薄膜沉积 沉积薄膜 反应气体 均匀反应 装置结构 半圆环 反应腔 加热盘 均匀性 圆环状 方阻 晶圆 两相 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积均匀进气装置，应用于物理气相沉积腔体，所述沉积腔体内使用永磁装置通过直流、交流或脉冲直流磁控溅射，将金属氮化物或金属氧化物薄膜沉积到晶圆表面；其中，所述的磁控溅射装置包括永磁装置、靶材和溅射动力源，所述溅射动力源可以是直流、交流或脉冲直流电源；其特征在于：所述薄膜沉积均匀进气装置放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方。/n
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