[实用新型]光电集成电路有效
| 申请号： | 201822144917.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209328929U | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/153 | 分类号： | H01L31/153;H01L31/173;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种光电集成电路，包括光电转换区和半导体器件区；其中，所述光电转换区包括发光器件、波导器件及探测器件，所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件制备于同一硅基衬底上，且所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件依次相连；所述半导体器件区包括半导体器件，且所述半导体器件与所述探测器件相连。本实用新型实施例，通过将压应变材料设置于PMOS表面和所述波导器件表面，张应变材料设置于NMOS表面和所述探测器件表面，通过应变调制波导器件和探测器件的禁带宽度，实现同层单片光电集成。 | ||
| 搜索关键词： | 探测器件 波导器件 发光器件 半导体器件区 光电集成电路 半导体器件 本实用新型 光电转换区 单片光电集成 依次相连 硅基衬 压应变 张应变 禁带 同层 调制 制备 | ||
【主权项】：
1.一种光电集成电路，其特征在于，包括光电转换区和半导体器件区；其中，所述光电转换区包括发光器件、波导器件及探测器件，所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件制备于同一硅基衬底上，且所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件依次相连；所述半导体器件区包括半导体器件，且所述半导体器件与所述探测器件相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
