[实用新型]光电集成半导体器件及芯片有效
| 申请号： | 201822144920.7 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209344077U | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 薛磊;岳庆冬 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0232;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种光电集成半导体器件及芯片，其中，光电集成半导体器件包括：第一衬底；光电结构，设置于所述第一衬底之上，其中，所述光电结构包括：N型层，设置于N型层上的光源P型层、波导结构、探测器P型层；CMOS结构，设置于所述第一衬底之上，其中，CMOS结构包括PMOS结构和NMOS结构；第一隔离层，设置于所述光电结构和所述CMOS结构之间对应的所述第一衬底之上，且设置于所述CMOS结构之上；压应力膜，包裹所述波导结构并设置于所述PMOS结构之上；张应力膜，包裹所述探测器P型层、所述探测器P型两侧的N型层以及所述NMOS结构之上。本实用新型的光电集成半导体器件集成了光电结构和COMS器件，且集成后半导体器件具有高度的器件兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 光电集成 光电结构 衬底 探测器 本实用新型 波导结构 半导体器件集成 芯片 压应力膜 张应力膜 隔离层 兼容性 光源 | ||
【主权项】：
1.一种光电集成半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底；光电结构，设置于所述第一衬底之上，其中，所述光电结构包括：N型层，设置于N型层上的光源P型层、波导结构、探测器P型层；CMOS结构，设置于所述第一衬底之上，其中，CMOS结构包括PMOS结构和NMOS结构；第一隔离层，设置于所述光电结构和所述CMOS结构之间对应的所述第一衬底之上，且设置于所述CMOS结构之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
