[实用新型]一种用于改善电路温漂特性的带隙基准电路有效
| 申请号： | 201822146082.7 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209103180U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张弛;曹宏涛;余佳 | 申请（专利权）人： | 深圳贝特莱电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于改善电路温漂特性的带隙基准电路，其中，PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极和PMOS管M3的源极均连接于电源端VDD，PMOS管M1的漏极连接于运算放大器OP1的反相端，PMOS管M2的漏极连接于运算放大器OP1的同相端，运算放大器OP1的输出端、PMOS管M1的栅极、PMOS管M2的栅极和PMOS管M3的栅极相互连接，所述电阻R1和电阻R2的电阻类型与所述基区寄生电阻rb1、基区寄生电阻rb2和基区寄生电阻rb3类型相同。本实用新型充分考虑双极型晶体管的基区寄生电阻，并将带隙基准电路中所选用的电阻类型设置为与双极型晶体管基区寄生电阻类型相同，从而减小了输出电压温漂系数随工艺波动的依赖，大大改善了电路温漂特性，较好地满足了应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生电阻 基区 温漂 带隙基准电路 运算放大器 源极 双极型晶体管 本实用新型 电阻类型 改善电路 电阻 漏极 工艺波动 输出电压 应用需求 电源端 反相端 输出端 同相端 减小 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于改善电路温漂特性的带隙基准电路，其特征在于，包括有PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、运算放大器OP1、双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2和双极型晶体管Q3，所述PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极和PMOS管M3的源极均连接于电源端VDD，所述PMOS管M1的漏极连接于所述运算放大器OP1的反相端，所述PMOS管M2的漏极连接于所述运算放大器OP1的同相端，所述运算放大器OP1的输出端、PMOS管M1的栅极、PMOS管M2的栅极和PMOS管M3的栅极相互连接，所述PMOS管M1的漏极连接于所述双极型晶体管Q1的发射极，所述双极型晶体管Q1的基极通过基区寄生电阻rb1接地，所述双极型晶体管Q1的集电极接地，所述PMOS管M2的漏极通过电阻R1连接于所述双极型晶体管Q2的发射极，所述双极型晶体管Q2的基极通过基区寄生电阻rb2接地，所述双极型晶体管Q2的集电极接地，所述PMOS管M3的漏极通过电阻R2连接于所述双极型晶体管Q3的发射极，所述双极型晶体管Q3的基极通过基区寄生电阻rb3接地，所述双极型晶体管Q3的集电极接地，所述电阻R1和电阻R2的电阻类型与所述基区寄生电阻rb1、基区寄生电阻rb2和基区寄生电阻rb3的类型相同。
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