[实用新型]PERC电池结构

摘要

本实用新型提供了一种PERC电池结构，包括：衬底、正面二氧化硅层、抗反射层、正面氮化硅层、背面钝化层，以及保护结构；所述正面二氧化硅层设于所述衬底的正面，所述抗反射层设于所述正面二氧化硅层的与所述衬底相背的一侧，所述正面氮化硅层设于所述抗反射层的与所述正面二氧化硅层相背的一侧。本实用新型可便于具有良好的SiO₂/Si界面性能，且正面所形成的SiO₂/SiN_x可作为双层减反钝化膜，进而有效改善硅片的表面钝化。本实用新型通过抗反射层，可在正面钝化的基础上，进一步减少光的反射作用。

主权项

1.一种PERC电池结构，其特征在于，包括：衬底、正面二氧化硅层、抗反射层、正面氮化硅层、背面钝化层，以及保护结构；所述正面二氧化硅层设于所述衬底的正面，所述抗反射层设于所述正面二氧化硅层的与所述衬底相背的一侧，所述正面氮化硅层设于所述抗反射层的与所述正面二氧化硅层相背的一侧；所述抗反射层为氮氧化硅层，所述正面二氧化硅的厚度的取值范围为5‑20纳米；所述背面钝化层设于所述衬底的背面，所述保护结构设于所述背面钝化层的与所述衬底相背的一侧；所述保护结构包括背面二氧化硅层与背面氮化硅层；所述背面二氧化硅层设于所述背面钝化层的与所述衬底相背的一侧，所述背面氮化硅层设于所述背面二氧化硅层的与所述背面钝化层相背的一侧；所述背面二氧化硅层的厚度的取值范围为3‑5纳米。