[实用新型]发光二极管有效

专利信息
申请号: 201822165209.X 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN209357748U 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 李家安;张国华;陈柏松;陈志豪;廖峻尉 申请(专利权)人: 芜湖德豪润达光电科技有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/08;H01L33/40;H01L33/64
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郭玮;李双皓
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请提供一种发光二极管,通过在所述衬底上实现整面式的背面P型层金属电极可以更好的实现电流的扩散,并且可以完全无遮掩正面发光的特性。同时,通过所述第一P型半导体层与所述第二P型半导体层的双层P型层,以及所述第一发光层与所述第二发光层的双层发光层的结构,可以把溢流的电子再做进一步的利用来提升发光效率。从而,在制造所述发光二极管时可以降低制造成本,提升所述发光二极管的发光效率,能够实现优良的电流扩散分布及较佳的散热效果。
搜索关键词: 发光二极管 发光效率 发光层 电流扩散 金属电极 散热效果 双层发光 制造成本 衬底 溢流 遮掩 背面 发光 扩散 申请 制造
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:衬底(10),具有第一表面(110)以及与所述第一表面(110)相对设置的第二表面(120);应力释放层(20),设置于所述衬底(10)的所述第二表面(120);第一P型半导体层(30),设置于远离所述衬底(10)的所述应力释放层(20)表面;第一发光层(40),设置于远离所述应力释放层(20)的所述第一P型半导体层(30)表面;第二P型半导体层(50),设置于远离所述第一P型半导体层(30)的所述第一发光层(40)表面;第二发光层(60),设置于远离所述第一发光层(40)的所述第二P型半导体层(50)表面;N型半导体层(70),设置于远离所述第二P型半导体层(50)的所述第二发光层(60)表面;第一电极(80),设置于远离所述第二发光层(60)的所述N型半导体层(70)表面;第一孔(310),开设于所述衬底(10)的所述第一表面(110),且贯穿至所述第一P型半导体层(30);至少一个第二孔(510),开设于所述衬底(10)的所述第一表面(110),且贯穿至所述第二P型半导体层(50);第一透明导电层(320),设置于所述第一孔(310)中,且所述第一透明导电层(320)设置于所述第一P型半导体层(30);第二透明导电层(520),设置于所述第二孔(510)中,且所述第二透明导电层(520)设置于所述第二P型半导体层(50);第二电极(90),设置于所述衬底(10)的所述第一表面(110),所述第二电极(90)设置于所述第一孔(310)内,且所述第二电极(90)与所述第一透明导电层(320)接触,用以实现所述第二电极(90)与所述第一P型半导体层(30)电连接,所述第二电极(90)设置于所述第二孔(510)内,且所述第二电极(90)与所述第二透明导电层(520)接触,用以实现所述第二电极(90)与所述第二P型半导体层(50)电连接。
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