[实用新型]电子器件和电子系统有效
| 申请号： | 201822173827.9 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN209447797U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | T·沙玛;T·罗伊;S·库马尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本公开涉及电子器件和电子系统。该电子器件包括：具有半导体衬底的双端口位存储器单元，所述半导体衬底具有第一有源区。所述第一有源区包括：第一位线节点；第一存储器单元节点；第一电源线节点；第二存储器单元节点；以及第一反相位线节点。根据本公开的实施例能够改善与在存储器单元上执行读取操作相关联的RC时间常数。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 存储器单元 电子系统 衬底 源区 半导体 第二存储器 单元节点 读取操作 位存储器 位线节点 电源线 双端口 相位线 关联 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其特征在于，包括：具有半导体衬底的双端口位存储器单元，所述半导体衬底具有第一有源区，所述第一有源区包括：第一位线节点；第一存储器单元节点；第一电源线节点；第二存储器单元节点；以及第一反相位线节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
