[实用新型]高效MOS管驱动电路

摘要

本实用新型涉及一种高效MOS管驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动；当上桥驱动信号为高电平时，三极管Q0B、三极管Q1B导通，15V电压经过二极管D0B、三极管Q0B、二极管D1B、电阻R4B、电阻R12B传输到MOS管V1B和MOS管V2B的门极，MOS管导通。当上桥驱动信号为低电平时，三极管Q0B和三极管Q1B截止，MOS管门极电压迅速通过电阻R10B、三极管Q2B放电，关闭MOS管。当下桥驱动信号为高电平时，三极管Q5B导通MOS管关闭，此信号为低电平时MOS管打开。本实用新型所述高效MOS管驱动电路，采用分立体器件搭建MOS管驱动电路，成本较低，且可以根据外围电路调整相关器件，达到高效驱动MOS管电路。

主权项

1.一种高效MOS管驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动，其特征是：所述上桥驱动包括三极管Q1B，三极管Q1B的基极连接电阻R1B的一端，电阻R1B的另一端连接上桥驱动信号，三极管Q1B的发射极连接电阻R2B的一端，电阻R2B的另一端接地，三极管Q1B的集电极连接三极管Q0B的基极和电阻R0B的一端，三极管Q0B的发射极连接电阻R0B的另一端、电容C1B的一端和二极管D0B的负极，电容C1B的另一端连接下桥驱动，二极管D0B的正极连接电容C0B的一端和+15V电源，电容C0B的另一端接地，三极管Q0B的集电极连接电阻R3B的一端、三极管Q2B的基极和二极管D1B的正极，电阻R3B的另一端和三极管Q2B的集电极连接下桥驱动，二极管D1B的负极连接电阻R4B的一端，电阻R4B的另一端连接电阻R10B的一端、电容C2B的一端、电阻R12B的一端和电阻R14B的一端，电阻R10B的另一端连接三极管Q2B的发射极，电容C2B的另一端连接下桥驱动，电阻R12的另一端连接MOS管V1B的栅极，MOS管V1B的源极连接下桥驱动，MOS管V1B的漏极连接MOS管V2B的漏极，电阻R14B的另一端连接MOS管V2B的基极，MOS管V2B的源极连接下桥驱动；所述下桥驱动包括三极管Q4B，三极管Q4B的基极连接+3.3V电源，三极管Q4B的发射极连接电阻R7B的一端，电阻R7B的另一端连接电阻R8B的一端和下桥驱动信号，电阻R8B的另一端连接三极管Q5B的基极，三极管Q4B的漏极连接电阻R6B的一端和三极管Q3B的基极，电阻R6B的另一端和三极管Q3B的发射极连接+15V电源，三极管Q3B的集电极连接电阻R9B的一阻，电阻R9B的另一端连接电阻R11B的一端、电容C3B的一端、电阻R13B的一端、电阻R15B的一端，电阻R11B的另一端连接三极管Q5B的集电极，三极管Q5B的发射极连接电容C3B的另一端、MOS管V3B的源极和MOS管V4B的源极，电阻R13B的另一端连接MOS管V3B的栅极，电阻R15B的另一端连接MOS管V4B的栅极，MOS管V3B的漏极和MOS管V4B的漏极分别连接上桥驱动。