[实用新型]一种半导体硅环蚀刻装置有效

专利信息
申请号: 201822180816.3 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209357698U 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 王武林 申请(专利权)人: 捷硕(长泰)电力电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/306
代理公司: 北京市京大律师事务所 11321 代理人: 刘玮
地址: 363000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开了一种半导体硅环蚀刻装置,包括蚀刻液箱,所述蚀刻液箱的上表面铰接有盖体,盖体的内侧表面设有密封圈,且盖体的侧表面开设有观察口,观察口内设有观察窗,蚀刻液箱的内侧表面设有刻度线,蚀刻液箱的外侧表面设有循环液管,循环液管的上下两端均与蚀刻液箱内部连通,且循环液管上设有循环泵,循环泵的输入端与循环泵开关的输出端电连接,循环泵开关设置在蚀刻液箱的侧表面,循环泵开关的输入端与外置电源的输出端电连接,蚀刻液箱的侧表面设有回收装置。本半导体硅环蚀刻装置,能够使蚀刻液对半导体硅环进行循环冲刷,提高了工作效率,缩短了加工时间,可以使反应更加充分,避免资源浪费,使用方便。
搜索关键词: 蚀刻液 半导体硅 循环泵开关 蚀刻装置 循环液管 侧表面 盖体 输出端电连接 内侧表面 输入端 循环泵 密封圈 本实用新型 工作效率 回收装置 内部连通 上下两端 外侧表面 外置电源 观察窗 观察口 刻度线 上表面 铰接 冲刷 观察 加工
【主权项】:
1.一种半导体硅环蚀刻装置,包括蚀刻液箱(1),其特征在于:所述蚀刻液箱(1)的上表面铰接有盖体(2),盖体(2)的内侧表面设有密封圈(3),且盖体(2)的侧表面开设有观察口,观察口内设有观察窗(8),蚀刻液箱(1)的内侧表面设有刻度线(4),蚀刻液箱(1)的外侧表面设有循环液管(5),循环液管(5)的上下两端均与蚀刻液箱(1)内部连通,且循环液管(5)上设有循环泵(6),循环泵(6)的输入端与循环泵开关(7)的输出端电连接,循环泵开关(7)设置在蚀刻液箱(1)的侧表面,循环泵开关(7)的输入端与外置电源的输出端电连接,蚀刻液箱(1)的侧表面设有回收装置。
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