[实用新型]一种半导体硅环蚀刻装置有效
申请号: | 201822180816.3 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209357698U | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 王武林 | 申请(专利权)人: | 捷硕(长泰)电力电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人: | 刘玮 |
地址: | 363000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体硅环蚀刻装置,包括蚀刻液箱,所述蚀刻液箱的上表面铰接有盖体,盖体的内侧表面设有密封圈,且盖体的侧表面开设有观察口,观察口内设有观察窗,蚀刻液箱的内侧表面设有刻度线,蚀刻液箱的外侧表面设有循环液管,循环液管的上下两端均与蚀刻液箱内部连通,且循环液管上设有循环泵,循环泵的输入端与循环泵开关的输出端电连接,循环泵开关设置在蚀刻液箱的侧表面,循环泵开关的输入端与外置电源的输出端电连接,蚀刻液箱的侧表面设有回收装置。本半导体硅环蚀刻装置,能够使蚀刻液对半导体硅环进行循环冲刷,提高了工作效率,缩短了加工时间,可以使反应更加充分,避免资源浪费,使用方便。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻液 半导体硅 循环泵开关 蚀刻装置 循环液管 侧表面 盖体 输出端电连接 内侧表面 输入端 循环泵 密封圈 本实用新型 工作效率 回收装置 内部连通 上下两端 外侧表面 外置电源 观察窗 观察口 刻度线 上表面 铰接 冲刷 观察 加工 | ||
【主权项】:
1.一种半导体硅环蚀刻装置,包括蚀刻液箱(1),其特征在于:所述蚀刻液箱(1)的上表面铰接有盖体(2),盖体(2)的内侧表面设有密封圈(3),且盖体(2)的侧表面开设有观察口,观察口内设有观察窗(8),蚀刻液箱(1)的内侧表面设有刻度线(4),蚀刻液箱(1)的外侧表面设有循环液管(5),循环液管(5)的上下两端均与蚀刻液箱(1)内部连通,且循环液管(5)上设有循环泵(6),循环泵(6)的输入端与循环泵开关(7)的输出端电连接,循环泵开关(7)设置在蚀刻液箱(1)的侧表面,循环泵开关(7)的输入端与外置电源的输出端电连接,蚀刻液箱(1)的侧表面设有回收装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造