[实用新型]背入射式光电芯片有效
申请号: | 201822193593.4 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209401635U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杨彦伟;刘格;刘宏亮;邹颜 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0232;G02B27/10 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种背入射式光电芯片;本实用新型提供了一种背入射式光电芯片,芯片包括衬底、吸收层和顶层,衬底相对顶层更靠近芯片的背面;芯片上开设有分光槽,分光槽贯穿吸收层;顶层内设有光敏区,光敏区的内端与吸收层相连接,光敏区的外端与芯片的第一电极相连接;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;芯片的第二电极与衬底相连接,第一电极和第二电极用于给芯片加电;芯片的背面为入光侧;分光槽用于将入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分进入到光电转换区内进行光电转换;故本实用新型提供的背入射式光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控。 | ||
搜索关键词: | 芯片 背入射式 光电芯片 光敏区 吸收层 本实用新型 分光槽 入射光 顶层 衬底 第二电极 第一电极 光电转换 背面 光电转换区 光通信传输 芯片加电 光功率 透射 分出 分光 内端 外端 监控 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种背入射式光电芯片,其特征在于:所述芯片包括衬底、吸收层和顶层,所述衬底相对所述顶层更靠近所述芯片的背面;所述芯片上开设有分光槽,所述分光槽贯穿所述吸收层;所述顶层内设有光敏区,所述光敏区的内端与所述吸收层相连接,所述光敏区的外端与所述芯片的第一电极相连接;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述芯片的第二电极与所述衬底相连接,所述第一电极和所述第二电极用于给所述芯片加电;所述芯片的背面为入光侧;所述分光槽用于将入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分进入到所述光电转换区内进行光电转换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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