[实用新型]背入射式光电芯片有效

专利信息
申请号: 201822193593.4 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209401635U 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 杨彦伟;刘格;刘宏亮;邹颜 申请(专利权)人: 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0232;G02B27/10
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 田俊峰
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种背入射式光电芯片;本实用新型提供了一种背入射式光电芯片,芯片包括衬底、吸收层和顶层,衬底相对顶层更靠近芯片的背面;芯片上开设有分光槽,分光槽贯穿吸收层;顶层内设有光敏区,光敏区的内端与吸收层相连接,光敏区的外端与芯片的第一电极相连接;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;芯片的第二电极与衬底相连接,第一电极和第二电极用于给芯片加电;芯片的背面为入光侧;分光槽用于将入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分进入到光电转换区内进行光电转换;故本实用新型提供的背入射式光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控。
搜索关键词: 芯片 背入射式 光电芯片 光敏区 吸收层 本实用新型 分光槽 入射光 顶层 衬底 第二电极 第一电极 光电转换 背面 光电转换区 光通信传输 芯片加电 光功率 透射 分出 分光 内端 外端 监控 贯穿
【主权项】:
1.一种背入射式光电芯片,其特征在于:所述芯片包括衬底、吸收层和顶层,所述衬底相对所述顶层更靠近所述芯片的背面;所述芯片上开设有分光槽,所述分光槽贯穿所述吸收层;所述顶层内设有光敏区,所述光敏区的内端与所述吸收层相连接,所述光敏区的外端与所述芯片的第一电极相连接;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述芯片的第二电极与所述衬底相连接,所述第一电极和所述第二电极用于给所述芯片加电;所述芯片的背面为入光侧;所述分光槽用于将入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分进入到所述光电转换区内进行光电转换。
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