[实用新型]一种一体式硅舟有效
| 申请号： | 201822193700.3 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN209418474U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李长苏;韩颖超;祝建敏 | 申请（专利权）人： | 杭州大和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310053 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种一体式硅舟，包括依次连接且呈U型分布的左上隔挡件、左连接件、左下隔挡件、下连接件、右下隔挡件、右连接件和右上隔挡件，左上隔挡件上设有若干个第一沟齿槽，左下隔挡件上设有若干个第二沟齿槽，右下隔挡件上设有若干个第三沟齿槽，右上隔挡件上设有若干个第四沟齿槽，第一沟齿槽与第二沟齿槽一一对应，第二沟齿槽与第三沟齿槽一一对应，第三沟齿槽与第四沟齿槽一一对应，第一沟齿槽、第二沟齿槽、第三沟齿槽和第四沟齿槽形成若干个支撑槽。本实用新型提供了一种一体式硅舟，具有结构简单，支撑稳定，不易变形等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 齿槽 隔挡件 硅舟 本实用新型 不易变形 下连接件 依次连接 右连接件 支撑稳定 左连接件 支撑槽 | ||
【主权项】：
1.一种一体式硅舟，其特征是，包括依次连接且呈U型分布的左上隔挡件、左连接件、左下隔挡件、下连接件、右下隔挡件、右连接件和右上隔挡件，左上隔挡件上设有若干个第一沟齿槽，左下隔挡件上设有若干个第二沟齿槽，右下隔挡件上设有若干个第三沟齿槽，右上隔挡件上设有若干个第四沟齿槽，第一沟齿槽与第二沟齿槽一一对应，第二沟齿槽与第三沟齿槽一一对应，第三沟齿槽与第四沟齿槽一一对应，第一沟齿槽、第二沟齿槽、第三沟齿槽和第四沟齿槽形成若干个支撑槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
