[实用新型]一种IGBT功率模块封装结构

摘要

本实用新型提供一种IGBT功率模块封装结构，包括底板和安装在底板上的壳体，所述底板上设有陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板设在所述壳体内，所述陶瓷覆铜板上焊接有主电极、功率器件、线栅和触发电极，所述主电极穿出所述壳体，所述底板上还设有底座，所述触发电极通过所述底座焊接在所述陶瓷覆铜板上。本实用新型提高产品良率和封装效率，进而提高产品产量。

主权项

1.一种IGBT功率模块封装结构，其特征在于，包括底板和安装在底板上的壳体，所述底板上设有陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板设在所述壳体内，所述陶瓷覆铜板上焊接有主电极、功率器件、线栅和触发电极，所述主电极穿出所述壳体，所述底板上还设有底座；所述触发电极包括依次连接的焊接面、S型前臂、电极长臂、电极下臂和电极上臂，所述焊接面与所述S型前臂相互垂直设置，所述S型前臂与所述电极下臂相互平行设置，所述电极长臂与所述电极下臂相互垂直连接，所述电极上臂与所述焊接面设置方向相反；所述底座包括座体，所述座体内设有若干隔板，所述隔板与所述隔板之间，所述隔板与所述座体内壁之间均设有相连的S型前臂卡槽、长臂卡槽和下臂卡槽，所述S型前臂卡接在所述S型卡槽上，所述电极长臂卡接在所述长臂卡槽上，所述电极下臂卡接在所述下臂卡槽上，所述焊接面和所述电极上臂分别伸出所述座体，所述焊接面焊接在所述陶瓷覆铜板上，所述电极上臂延伸至所述壳体外，所述座体下与所述底板之间设有支撑座。