[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201822211927.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN209357749U | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘珊珊;廖汉忠;陈顺利;丁逸圣;宋林青 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 司佩杰;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供一种LED芯片。该LED芯片包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀P半导体层、发光层和N半导体层形成的与N半导体层接触的N台阶，N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，第一金手指与第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。由于对LED芯片的N电极增加了电流传导的金手指，因此，降低了LED芯片的工作电压；同时，由于N电极的第一金手指和P电极的第二金手指在LED芯片的俯视方向上存在重叠区域，因此，相比传统技术，并没有增加吸光的负效应，进一步降低了LED芯片的工作电压，从而提高了LED芯片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 金手指 半导体层 工作电压 重叠区域 发光层 俯视 绝缘层 光电转换效率 负效应 电流传导层 表面生长 电流传导 上表面 沉积 衬底 刻蚀 吸光 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀所述P半导体层、所述发光层和所述N半导体层形成的与所述N半导体层接触的N台阶，所述N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；所述N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，所述第一金手指与所述第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。
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