[实用新型]一种PE增强的多源二维材料制备设备有效
申请号: | 201822217850.3 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN209508408U | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 孔令杰;李晓丽 | 申请(专利权)人: | 合肥百思新材料研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/513;C23C16/505;C23C16/517 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 238000 安徽省合肥市巢*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种PE增强的多源二维材料制备设备,该制备设备包括控制区与反应区,反应区设置在控制区的上部,控制区包括控制台、射频发生器、真空获取泵、工控电脑,射频发生器与真空获取泵设置在控制台的一侧,工控电脑设置在控制台的中间区域,控制台的另一侧设有真空计;反应区包括:反应台、PE耦合源、加热反应器、固态源放置区、石英腔体,反应台固定设于控制台的顶部。本实用新型通过反向低温升华气体作为载体使固态源到基体上二次反应,从而很好的控制生长工艺,通过PE增强解决气源裂解温度在400度以内,通过另一面独立设计一个区域放置固态源并控制其升华温度不受反应区的影响。 | ||
搜索关键词: | 控制台 反应区 制备设备 固态源 控制区 本实用新型 射频发生器 二维材料 工控电脑 真空获取 反应台 多源 加热反应器 升华 独立设计 二次反应 石英腔体 中间区域 耦合 放置区 真空计 裂解 气源 生长 | ||
【主权项】:
1.一种PE增强的多源二维材料制备设备,包括控制区与反应区,反应区设置在控制区的上部,其特征在于,所述控制区包括控制台(21)、射频发生器(3)、真空获取泵(4)、工控电脑(7),射频发生器(3)与真空获取泵(4)设置在控制台(21)的一侧,工控电脑(7)设置在控制台(21)的中间区域,控制台(21)的另一侧设有真空计(13);所述反应区包括:反应台(22)、PE耦合源(2)、加热反应器(5)、固态源放置区(6)、石英腔体(8),反应台(22)固定设于控制台(21)的顶部;法兰支撑座(14)的顶部设有真空密封法兰(1),PE耦合源(2)、加热反应器(5)、固态源放置区(6)依次远离真空密封法兰(1)的一侧设置,PE耦合源(2)、加热反应器(5)固定设置在反应台(22)上;所述石英腔体(8)呈中空圆柱状,其一端与真空密封法兰(1)连接,穿过PE耦合源(2)、加热反应器(5)、固态源放置区(6)后的另一端连接有进气口(9);所述固态源放置区(6)远离加热反应器(5)一侧的侧壁设有进气支撑台(16),进气支撑台(16)的顶部设有进气支撑座(15),进气支撑座(15)对进气口(9)进行支撑;进气口(9)的另一端通过压缩波纹管(10)连接有真空接口(11),真空接口(11)的底部设有接口滑动座(17)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的