[实用新型]具有高阻断电压与高电压冲击耐受力的GCT芯片

摘要

本实用新型提供一种具有高阻断电压与高电压冲击耐受力的GCT芯片，所述芯片从阴极到阳极依次设有：n⁺发射极或阴极发射极、p基区、n基区、n⁺缓冲层、p⁺发射极或阳极发射极，p基区表面上设有门极，所述芯片具备以下一种或多种优化结构：短路阳极结构、P基区表面局部制作的p⁺区域、少数载流子寿命为10us以内的芯片体内局部区域。所述GCT芯片使得系统在上电过程中不再需要额外的辅助设备，从而保证了集成门极换流晶闸管器件的正常工作，降低了系统复杂度和成本，提升了其可靠性。

主权项

1.一种具有高阻断电压与高电压冲击耐受力的GCT芯片，从阴极到阳极依次设有：n⁺发射极或阴极发射极、p基区、n基区、n⁺缓冲层、p⁺发射极或阳极发射极，p基区表面上设有门极，其特征在于，所述芯片具有以下中的一种或多种：短路阳极结构、P基区表面局部制作的p⁺区域、或少数载流子寿命为10us以内的芯片。