[实用新型]一种埋沟式SiC IGBT常关器件有效
| 申请号： | 201822220913.0 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN209471967U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 谢龙飞;叶娜;曹琳;李碧珊 | 申请（专利权）人： | 西安中车永电电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种埋沟式SiC IGBT常关器件，其结构包括p+衬底层、n‑漂移区、p+注入区、n‑耗尽区、p+隔离区、p‑生长区、n注入区、n+发射极区和n埋沟区。本实用新型提供的埋沟式SiC IGBT常关器件，能够在导通时沟道远离SiC/SiO2界面一定的距离以减小界面态的影响，从而提高沟道处载流子的迁移率，同时本实用新型提出的器件为常关型，易于控制和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 载流子 发射极区 衬底层 隔离区 沟道处 耗尽区 界面态 漂移区 迁移率 生长区 注入区 导通 沟道 沟区 减小 应用 | ||
【主权项】：
1.一种埋沟式SiC IGBT常关器件，其特征在于，该器件的结构包括p+衬底层(1)、n‑漂移区(2)、p+注入区(3)、n‑耗尽区(4)、p+隔离区(5)、p‑生长区(6)、n注入区(7)、n+发射极区(8)和n埋沟区(9)；所述n‑漂移区(2)设置于p+衬底层(1)顶部，所述p+注入区(3)和n‑耗尽区(4)设置于n‑漂移区(2)顶部，所述p+隔离区(5)和p‑区(6)设置在p+注入区(3)顶部，所述n注入区(7)设置在n‑耗尽区(4)顶部，所述n+发射极区(8)设置在p‑生长区(6)顶部，所述n埋沟区(9)设置在p‑生长区(6)和n注入区(7)顶部。
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