[实用新型]一种具有波浪缓冲区的GCT芯片有效
| 申请号： | 201822229488.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN209561411U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘佳鹏;曾嵘;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/747 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有波浪缓冲区的GCT芯片，包括引出阳极的p+发射极、与p+发射极贴合的n+缓冲层、与n+缓冲层相贴合的n基区、与n基区相贴合的p基区和与p基区相连接的n+发射极，所述p+发射极与所述n+缓冲层的连接处形成J1结，所述n基区与n+缓冲层的交界处设置有波浪形结构，通过在GCT芯片的阳极侧引入波浪形缓冲区的结构，使动态雪崩发生时，有效降低了阳极端的发射效率同时避免阴极电子重新发射，提高器件同等阴阳极电压条件下的关断电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发射极 缓冲层 缓冲区 贴合 阳极 芯片 基区 波浪 本实用新型 波浪形结构 电压条件 动态雪崩 发射效率 关断电流 阴极电子 重新发射 波浪形 交界处 阳极侧 引入 | ||
【主权项】：
1.一种具有波浪缓冲区的GCT芯片，包括引出阳极的p+发射极、与p+发射极贴合的n+缓冲层、与n+缓冲层相贴合的n基区、与n基区相贴合的p基区和与p基区相连接的n+发射极，其特征在于，所述n+发射极远离所述p基区的一侧引出有阴极，所述p基区引出有两个阴极门极结构，所述n+发射极与所述p基区的连接处形成J3结，所述n基区与所述p基区的连接处形成J2结，所述p+发射极与所述n+缓冲层的连接处形成J1结，所述n基区与所述n+缓冲层的交界处中部设置有波浪形结构，所述n+缓冲层为波浪形缓冲区；所述波浪形结构的中部设置为平面结构，所述平面的两端相互远离延伸形成两个的平滑曲面，所述平滑曲面远离所述平面的一端与所述n基区与所述n+缓冲层的交界处重合。
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