[实用新型]石墨烯金属复合粉体连续生长设备有效
申请号: | 201822232542.8 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN209974884U | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 马瑜;吕雪超;王续杨;钱天宝;杨军 | 申请(专利权)人: | 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/06;C23C16/26 |
代理公司: | 11365 北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王茀智;黄梦琴 |
地址: | 201821 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种石墨烯金属复合粉体连续生长设备,包括依次相连的进样室、CVD管式炉和降温室,还包括真空机组、供气系统和加热装置,所述真空机组和供气系统均分别与进样室、CVD管式炉和降温室连接,所述加热装置与CVD管式炉连接,所述CVD管式炉与进样室之间的连通口处设有第一真空挡板阀,CVD管式炉与降温室之间的连通口处设有第二真空挡板阀。本实用新型的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,提高生产效率,扩大生产规模,降低能耗。 | ||
搜索关键词: | 降温室 进样室 本实用新型 金属复合粉 真空挡板阀 供气系统 加热装置 连通口处 生长设备 真空机组 石墨烯 扩大生产 生产效率 依次相连 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:包括依次相连的进样室(1)、CVD管式炉(2)和降温室(3),还包括真空机组(11)、供气系统(8)和加热装置(4),所述真空机组(11)和供气系统(8)均分别与进样室(1)、CVD管式炉(2)和降温室(3)连接,所述加热装置(4)与CVD管式炉(2)连接,所述CVD管式炉(2)与进样室(1)之间的连通口处设有第一真空挡板阀(6),CVD管式炉(2)与降温室(3)之间的连通口处设有第二真空挡板阀(15)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司,未经上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822232542.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的