[实用新型]一种石墨烯晶硅太阳电池结构有效
申请号: | 201822238505.8 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN209087857U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 张树德;丁可;钱洪强;魏青竹;倪志春;连维飞;揭建胜;张晓宏 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司;苏州大学;常熟理工学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄丽莉 |
地址: | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种石墨烯晶硅太阳电池结构,包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线,所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅;还包括石墨烯透明导电层,所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本实用新型相较于现有技术,在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层,石墨烯具备透过率高,导电性好的优点,石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触,从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点,部分载流子通过石墨烯传输给主栅,减小副栅的载流子传输损耗;同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量,增加受光面积,提高电池短路电流和光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 副栅 主栅 晶硅太阳电池 透明导电层 本实用新型 正极栅线 载流子 电池短路电流 光电转换效率 横向导电性 载流子传输 导电性 电气接触 硅片表面 透过率 硅片 减小 排布 受光 叠加 平行 垂直 传输 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯晶硅太阳电池结构,其特征在于,包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线,所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅;还包括石墨烯透明导电层,所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。
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H01 基本电气元件
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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