[实用新型]集成增强型与耗尽型场效应管的结构有效
| 申请号： | 201822245272.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209104156U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及集成增强型与耗尽型场效应管结构，包括：衬底和位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的势垒层，所述势垒层包括第一欧姆接触区、第二欧姆接触区和第三欧姆接触区，所述第一欧姆接触区与第二欧姆接触区之间包括垂直于栅极的多个凹槽和多个鳍；位于所述第一欧姆接触区的第一电极、位于所述第二欧姆接触区的第二电极和位于所述第三欧姆接触区的第三电极；位于所述第一电极与第二电极之间的第一栅极和位于所述第二电极和第三电极之间的第二栅极。在本实用新型将增强型晶体管和耗尽型晶体管集成在一个场效应管中，为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触区 场效应管 第二电极 本实用新型 第三电极 第一电极 耗尽型 缓冲层 势垒层 增强型 衬底 耗尽型晶体管 模拟混合信号 增强型晶体管 单片集成 高速数字 射频电路 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种集成增强型与耗尽型场效应管的结构，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的势垒层，所述势垒层包括第一欧姆接触区、第二欧姆接触区和第三欧姆接触区，所述第二欧姆接触区位于所述第一欧姆接触区和第三欧姆接触区之间，所述第一欧姆接触区与第二欧姆接触区之间包括垂直于栅极的多个凹槽和多个鳍；位于所述第一欧姆接触区的第一电极、位于所述第二欧姆接触区的第二电极和位于所述第三欧姆接触区的第三电极；位于所述第一电极与第二电极之间的第一栅极和位于所述第二电极和第三电极之间的第二栅极。
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