[实用新型]一种快恢复二极管有效
| 申请号： | 201822247428.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209150121U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张超;欧阳潇 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种快恢复二极管，包括从上至下依次设置的正面阳极、P+浓硼区、N‑淡磷区、N‑‑外延层、N++衬底区、背面阴极，P+浓硼区、N‑淡磷区开有左右对称的台面槽，N‑淡磷区在两侧台面槽之间设有P‑淡硼区，本实用新型在芯片正面形成P+/P‑/N‑的复合结构，形成近似对称的载流子浓度分布，产生阳极发射效率调整的效果，获得更为优化的Trr‑Vf折衷关系，有效的降低了FRED的关断损耗，提升了RRED反向恢复过程中的可靠性与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 淡磷 快恢复二极管 本实用新型 阳极 浓硼区 台面槽 载流子 阴极 从上至下 发射效率 反向恢复 复合结构 关断损耗 浓度分布 芯片正面 依次设置 折衷关系 左右对称 衬底区 外延层 淡硼 背面 近似 对称 优化 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复二极管，其特征在于：包括从上至下依次设置的正面阳极、P+浓硼区、N‑淡磷区、N‑‑外延层、N++衬底区、背面阴极，所述P+浓硼区、N‑淡磷区开有左右对称的台面槽，所述N‑淡磷区在两侧台面槽之间设有P‑淡硼区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷捷半导体有限公司，未经捷捷半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822247428.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
