[实用新型]桥式热膜结构微加热器与电子鼻阵列有效
申请号: | 201822249077.9 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209487464U | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 李晓波;蒋一博 | 申请(专利权)人: | 杭州北芯传感科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/367 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 王宇杨 |
地址: | 311258 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种桥式热膜结构微加热器与电子鼻阵列,所述桥式热膜结构微加热器包括:在硅基底表面形成的绝热层;在绝热层表面形成的绝缘层Ⅰ;在绝缘层Ⅰ表面形成的电极柱子;在电极柱子之间形成空腔及悬空加热结构;加热结构由空腔往上依次为支撑层,绝缘层,台阶结构层,加热层及钝化层;绝缘层覆盖在支撑层上;台阶结构层位于所述绝缘层上;加热层覆盖在含所述支撑层,绝缘层、台阶结构层的复合结构上、并覆盖电极柱子的上表面;钝化层覆盖所述加热层;连接电极位于含有所述绝热层的硅基底表面,并与电极柱子连接;绝缘层Ⅰ、电极柱子、支撑层共同形成悬空加热器结构的空腔。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 柱子 支撑层 电极 台阶结构 微加热器 加热层 绝热层 空腔 桥式 热膜 硅基底表面 表面形成 加热结构 电子鼻 钝化层 悬空 本实用新型 加热器结构 绝缘层覆盖 覆盖电极 复合结构 连接电极 上表面 覆盖 | ||
【主权项】:
1.桥式热膜结构微加热器,其特征在于,所述桥式热膜结构微加热器包括:在硅基底(1)上表面形成的绝热层(2)、绝缘层Ⅰ(3);在绝缘层Ⅰ(3)表面形成的电极柱子(4);在电极柱子之间形成空腔(12)及悬空加热结构;加热结构由下到上依次为支撑层(6)、绝缘层Ⅱ(7)、台阶结构层(8)、加热层(9)及钝化层(10);其中,绝缘层Ⅱ(7)覆盖支撑层(6);台阶结构层(8)位于在绝缘层Ⅱ(7)正上方区域内;加热层(9)覆盖在含所述支撑层(6),绝缘层Ⅱ(7)、台阶结构层(8)的复合结构上、并覆盖电极柱子(4)的上表面;钝化层(10)覆盖所述加热层(9);连接电极(11)位于含有所述绝缘层Ⅰ(3)的硅基底(1)上表面,并与电极柱子(4)连接;绝缘层Ⅰ(3)、电极柱子(4)、支撑层(6)共同形成桥式热膜结构微加热器的空腔(12),使加热器形成悬空结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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