[实用新型]基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置有效
| 申请号： | 201822277952.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209522573U | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李海欧;李炎;刘赫;曹刚;郭光灿;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，包括：硅基纳米线基片结构、量子点电极结构和测量电路；硅基纳米线基片结构自下而上顺次包括：非掺杂硅衬底、硅缓冲层、锗层、硅包覆层和二氧化硅层；锗层中还包括量子点；量子点电极结构包括：源电极、漏电极、绝缘层和顶栅极电极；源电极和漏电极，分别置于硅基纳米线结构的两端，且与硅基纳米线结构零维接触；绝缘层，生长于硅基纳米线基片结构的二氧化硅层上；顶栅极电极，生长于绝缘层上；顶栅极电极通过绝缘层隔绝与源电极和漏电极接触；顶栅极电极用于调节载流子在量子点电极结构中的状态。本实用新型简化制备工艺，提高硅基纳米线量子点的制备成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基纳米线 量子点 绝缘层 栅极电极 电极结构 基片结构 漏电极 源电极 本实用新型 二氧化硅层 欧姆接触 锗层 载流子 简化制备工艺 测量电路 硅缓冲层 非掺杂 硅衬底 生长 覆层 硅包 制备 成功率 | ||
【主权项】：
1.一种基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，包括：硅基纳米线基片结构，自下而上顺次包括：非掺杂硅衬底(100)、硅缓冲层(101)、锗层(102)、硅包覆层(103)和二氧化硅层(104)；所述锗层(102)中还包括量子点(601)；所述锗层(102)、硅包覆层(103)和二氧化硅层(104)形成凸起结构作为硅基纳米线；量子点电极结构，包括：源电极(401)和漏电极(402)，分别置于所述硅基纳米线结构的两端，且与所述硅基纳米线结构零维接触；绝缘层(201)，制备于所述硅基纳米线基片结构的所述二氧化硅层(104)上；顶栅极电极(501)，生长于所述绝缘层(201)上；所述绝缘层(201)隔绝所述顶栅极电极(501)与源电极(401)和漏电极(402)；所述顶栅极电极(501)用于调节载流子在量子点电极结构中的状态。
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