[发明专利]钙钛矿薄膜的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201880000047.4 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110352507A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 程春;王国良;孔伟光;陈宏;胡曼曼;李得第;蔡念铎;陈鹏程;徐保民 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 高星 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种钙钛矿薄膜的制备方法，至少包括以下步骤：步骤S01.在空气条件下，对衬底、钙钛矿前躯体溶液进行预热处理；步骤S02.在空气和热辐射条件下，将预热后的所述钙钛矿前躯体溶液滴于所述衬底表面，随后在涂覆设备上进行涂覆处理；步骤S03.将步骤S02涂覆处理得到衬底进行退火处理，获得钙钛矿薄膜。该方法采用热辐射的方式，实现了钙钛矿薄膜的空气条件下制备，并且获得的钙钛矿薄膜其光电转换效率达到16.44％，能达到与在手套箱、氮气氛围下制备的钙钛矿薄膜光电效率一致的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿薄膜 制备 前躯体溶液 空气条件 涂覆处理 钙钛矿 衬底 光电转换效率 热辐射条件 衬底表面 氮气氛围 光电效率 技术效果 涂覆设备 退火处理 预热处理 热辐射 手套箱 预热 应用 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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