[发明专利]用于形成三维存储器设备的沟道插塞的方法

摘要

公开了3D存储器设备的沟道插塞及其制造方法的实施例。存储器设备包括：设置在衬底上的交替层堆叠结构，设置在交替电介质堆叠结构上的绝缘层，垂直延伸穿过交替电介质堆叠结构和绝缘层的沟道孔，包括沟道孔中的沟道层的沟道结构，以及在绝缘层中且在沟道结构上方的沟道插塞。沟道插塞与沟道层电连接。沟道插塞在横向平面中的投影覆盖沟道孔在横向平面中的投影。

主权项

1.一种用于在三维(3D)存储器设备中形成沟道插塞结构的方法，包括：形成设置在衬底上的交替电介质堆叠结构；在所述交替电介质堆叠结构上形成绝缘层和硬掩模层；形成穿透所述绝缘层、所述硬掩模层和所述交替电介质堆叠结构的沟道结构；在所述硬掩模层上形成光致抗蚀剂图案；使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来去除所述沟道结构的顶部部分以形成凹槽；以及在所述凹槽中形成沟道插塞，其中，所述沟道插塞在横向平面中的投影覆盖所述沟道孔在所述横向平面中的投影。