[发明专利]磁化反转元件、磁阻效应元件和存储设备有效
| 申请号： | 201880000876.2 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108738371B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 及川亨;佐佐木智生;盐川阳平;柴田龙雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01F10/16;H01F10/32;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。 | ||
| 搜索关键词： | 磁化 反转 元件 磁阻 效应 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁化反转元件，其特征在于，具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，所述铁磁性金属层位于所述自旋轨道转矩配线的一个面上，从所述自旋轨道转矩配线向所述铁磁性金属层注入的自旋的方向相对于所述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，所述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。
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