[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法有效
| 申请号： | 201880000948.3 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109075173B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;胡禺石 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了用于形成用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的方法的实施例。在示例中，第一电介质层形成在衬底上，并且第一光刻胶层形成在第一电介质层上。通过由修整‑刻蚀所述第一电介质层构成的周期来图案化出穿过所述第一电介质层到达所述衬底的凹陷。形成填充所述凹陷的多个电介质/牺牲层对。在所述电介质/牺牲层对的顶表面上形成第二光刻胶层。通过由修整‑刻蚀所述电介质/牺牲层对构成的周期来使所述电介质/牺牲层对图案化。形成覆盖图案化的电介质/牺牲层对的第二电介质层。通过利用多个导体层替换所述图案化的电介质/牺牲层对中的牺牲层而在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储器堆叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 牺牲层 电介质层 图案化 衬底 光刻胶层 阶梯结构 凹陷 侧布 刻蚀 修整 三维存储器件 存储器件 存储器 导体 导体层 顶表面 堆叠层 填充 三维 替换 穿过 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：在衬底上形成第一电介质层并且在所述第一电介质层上形成第一光刻胶层；通过多个由修整所述第一光刻胶层和刻蚀所述第一电介质层构成的周期来图案化出穿过所述第一电介质层到达所述衬底的凹陷；在所述凹陷中形成多个电介质/牺牲层对；在所述多个电介质/牺牲层对的顶表面上形成第二光刻胶层；通过多个由修整所述第二光刻胶层和刻蚀所述多个电介质/牺牲层对构成的周期来使所述多个电介质/牺牲层对图案化；形成覆盖图案化的多个电介质/牺牲层对的第二电介质层；以及通过利用多个导体层替换所述图案化的电介质/牺牲层对中的牺牲层而在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储器堆叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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