[发明专利]自旋元件的稳定化方法及自旋元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880001275.3 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110419116B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 盐川阳平;佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/82 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式所涉及的自旋元件的稳定化方法，在具备沿第一方向延伸的通电部和叠层于上述通电部的一面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，沿上述通电部的上述第一方向，在规定温度中以脉冲施加总时间成为规定时间以上的方式，施加规定电流值以上的电流脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 元件 稳定 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种自旋元件的稳定化方法，其中，在具备沿第一方向延伸的通电部和叠层于所述通电部的一个面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，沿所述通电部的所述第一方向，在规定温度中以脉冲施加总时间成为规定时间以上的方式，根据以下的关系式(1)施加规定电流值以上的电流脉冲；![]()
所述通式(1)中，t为所述规定时间，A为1以上的系数，Q为所述通电部的活化能量，kB为玻耳兹曼常数，T’为构成所述通电部的材料的熔点，ΔT为所述规定温度与室温之差，其中，在没有所述规定温度与所述室温之差的情况下，ΔT＝1，IC为磁化反转所需的反转临界电流值，I为施加的所述规定电流值。
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