[发明专利]金刚石晶体在审
| 申请号： | 201880001511.1 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110546316A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 金圣祐;藤居大毅;木村丰;小山浩司 | 申请（专利权）人： | 安达满纳米奇精密宝石有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C23C16/27 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴大建;霍玉娟<国际申请>=PCT/JP |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 【课题】实现能够形成为大面积、且作为高取向性而能够实现FWHM的降低的金刚石晶体。【解决手段】将金刚石晶体形成为具有位错集中区域的块体的晶体，各位错集中区域的间隔设为10nm以上且4000nm以下。金刚石晶体的表面中的晶体主面的晶体取向设为(100)、(111)、(110)中的任一种。平面方向的外形形状为方形、圆形、或者设置有定向平面的圆形，在为方形的情况下，一条边的尺寸设定为8.0mm以上，在为圆形的情况下，直径设定为8.0mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石晶体 位错集中区域 定向平面 高取向性 晶体取向 平面方向 外形形状 块体 条边 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石晶体，是具有位错集中区域的块体的晶体，各位错集中区域的间隔为10nm以上且4000nm以下。/n
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