[发明专利]多堆叠层三维存储器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201880001660.8 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109075174B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 刘峻;霍宗亮;肖莉红;吕震宇;陶谦;胡禺石;李思晢;汤召辉;周玉婷;李兆松 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11578 分类号: H01L27/11578;H01L27/1157
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 钟胜光
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 公开了三维存储器件的方法和结构。在示例中,存储器件包括衬底和多堆叠层阶梯结构。多堆叠层阶梯结构可包括堆叠在衬底之上的多个阶梯结构。多个阶梯结构中的每一个可包括多个导体层,每个导体层位于两个绝缘层之间。存储器件还可以包括在多堆叠层阶梯结构之上的填充结构、延伸穿过多堆叠层阶梯结构的半导体沟道、以及延伸穿过多堆叠层阶梯结构和填充结构的支撑柱。半导体沟道可包括未对准的侧壁表面,并且支撑柱可包括对准的侧壁表面。
搜索关键词: 堆叠 三维 存储 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种存储器件,包括:衬底;多堆叠层阶梯结构,包括堆叠在所述衬底之上的多个阶梯结构,其中所述多个阶梯结构中的每一个包括多个导体层,其中所述多个导体层中的每一个位于两个绝缘层之间;围绕所述多堆叠层阶梯结构的填充结构;延伸穿过所述多堆叠层阶梯结构的半导体沟道,其中所述半导体沟道包括未对准的侧壁表面;以及支撑柱,其延伸穿过所述多堆叠层阶梯结构和所述填充结构中的至少一个,其中所述支撑柱包括对准的侧壁表面。
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