[发明专利]三维存储器件中的存储单元的编程在审
| 申请号： | 201880001677.3 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109313923A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;徐永炎;王明;靳磊;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了3D存储器件和用于操作所述3D存储器件的方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括NAND存储器串和外围电路。所述NAND存储器串在衬底上方竖直延伸，并且包括竖直串联布置的多个存储单元。所述外围电路被配置为基于增量式步进脉冲编程(ISPP)对存储单元进行编程。向存储单元中的至少两个施加所述ISPP的不同验证电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 存储器件 编程 外围电路 三维存储器件 串联布置 竖直延伸 验证电压 增量式 脉冲 步进 衬底 竖直 施加 配置 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：NAND存储器串，其在衬底上方竖直延伸并且包括竖直串联布置的多个存储单元；以及外围电路，其被配置为基于增量式步进脉冲编程(ISPP)对所述存储单元进行编程，其中，向所述存储单元中的至少两个施加所述ISPP的不同验证电压。
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