[发明专利]三维存储器件中的存储单元的编程在审

专利信息
申请号: 201880001677.3 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109313923A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 刘红涛;徐永炎;王明;靳磊;霍宗亮 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/34
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 钟胜光
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了3D存储器件和用于操作所述3D存储器件的方法的实施例。在示例中,一种3D存储器件包括NAND存储器串和外围电路。所述NAND存储器串在衬底上方竖直延伸,并且包括竖直串联布置的多个存储单元。所述外围电路被配置为基于增量式步进脉冲编程(ISPP)对存储单元进行编程。向存储单元中的至少两个施加所述ISPP的不同验证电压。
搜索关键词: 存储单元 存储器件 编程 外围电路 三维存储器件 串联布置 竖直延伸 验证电压 增量式 脉冲 步进 衬底 竖直 施加 配置
【主权项】:
1.一种三维(3D)存储器件,包括:NAND存储器串,其在衬底上方竖直延伸并且包括竖直串联布置的多个存储单元;以及外围电路,其被配置为基于增量式步进脉冲编程(ISPP)对所述存储单元进行编程,其中,向所述存储单元中的至少两个施加所述ISPP的不同验证电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880001677.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top