[发明专利]具有帽盖层的键合触点及其形成方法在审
| 申请号： | 201880001687.7 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109155301A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 潘杰;吕术亮;马亮;李远;胡思平;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了键合的半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中，一种半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、以及第一和第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括衬底、设置于衬底上的第一器件层、以及设置于第一器件层上方并包括第一键合触点的第一键合层。第二半导体结构包括第二器件层、以及设置于第二器件层下方并包括第二键合触点的第二键合层。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触。第一键合触点和第二键合触点中的至少一个包括帽盖层，所述帽盖层在所述键合界面处并且具有与相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的其余部分不同的导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 键合 触点 半导体结构 器件层 键合界面 帽盖层 键合层 衬底 半导体器件 触点接触 导电材料 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体结构，包括衬底、设置于所述衬底上的第一器件层、以及设置于所述第一器件层上方并包括第一键合触点的第一键合层；第二半导体结构，包括第二器件层、以及设置于所述第二器件层下方并包括第二键合触点的第二键合层；以及所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的键合界面，其中，所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点接触，并且所述第一键合触点和所述第二键合触点中的至少一个包括帽盖层，所述帽盖层在所述键合界面处、具有与相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的其余部分不同的导电材料。
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