[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括在半导体器件的衬底之上沿垂直方向堆叠的一串晶体管。该串可以包括第一子串、设置在第一子串之上的沟道连接体和第二子串。第一子串包括第一沟道结构，该第一沟道结构具有沿垂直方向延伸的第一沟道层和第一栅极电介质结构。第二子串堆叠在沟道连接体之上，并且具有第二沟道结构，该第二沟道结构包括沿垂直方向延伸的第二沟道层和第二栅极电介质结构。电耦合第一和第二沟道层的沟道连接体设置在第二栅极电介质结构下方，以使得能够在第二沟道层的底部区域中形成导电路径。底部区域与第二子串中的最下面的晶体管相关联。

主权项

1.一种半导体器件，包括在所述半导体器件的衬底之上沿着垂直方向堆叠的一串晶体管，该串包括：/n晶体管的具有第一沟道结构的第一子串，所述第一沟道结构包括沿垂直方向延伸的第一沟道层和第一栅极电介质结构；/n沟道连接体，其设置在所述第一子串之上；以及/n堆叠在所述沟道连接体之上的晶体管的第二子串，所述第二子串具有第二沟道结构，所述第二沟道结构包括沿垂直方向延伸的第二沟道层和第二栅极电介质结构，所述沟道连接体电耦合所述第一沟道层和所述第二沟道层，并设置在所述第二栅极电介质结构下方，/n其中，所述沟道连接体包括第一结构和第二结构，所述第一结构包括由所述第二结构过填充的凹陷区域，所述第一结构与所述第二栅极电介质结构分隔开，并且所述第二结构设置成与所述第二栅极电介质结构相邻并在所述第二栅极电介质结构下方。/n