[发明专利]三维存储设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201880002118.4 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109564922B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种用于形成3D存储设备的方法。该方法包括：在衬底上形成交替的电介质叠层；在交替的电介质叠层的上部中形成沿横向延伸的临时顶部选择性栅极切口；形成穿透交替的电介质叠层的多个沟道孔；去除临时顶部选择性栅极切口；以及形成多个沟道孔中的多个沟道结构并同时形成顶部选择性栅极切口结构。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成三维(3D)存储设备的方法，包括：在衬底上形成交替的电介质叠层；在所述交替的电介质叠层的上部中形成沿横向延伸的临时顶部选择性栅极切口；形成穿透所述交替的电介质叠层的多个沟道孔；去除所述临时顶部选择性栅极切口；以及形成所述多个沟道孔中的多个沟道结构并同时形成顶部选择性栅极切口结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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